Microstructure and Its Influence on Mechanical Behaviour of Directionally Solidified DZ38G Superalloy

The features of microstructure and theirinfluence on mechanical properties onstress-rupture as well as thermal fatigue ofdirectionally solidified DZ38G nickel-base su-peralloy have been investigated.It has beenfound that the contents of carbides on grainboundaries are increased and morphology of γ'-precipitates has been changed after testing.Particularly γ'-precipitates coalesced intoraft-like in morphology perpendicular to theapplied stress-axis have been observed thathas no detrimental effect on the stress-rupturebehaviour.The tendency of σ-formation hasalso been discussed.The σ-phase can be avoidedwhen the process parameters are chosenappropriately during solidification.     

Identification of Phases in Aluminide Coatings by Means of Interference Layer Metallography

Interference layer metallography was usedto identify the phases present in the aluminidecoating on superalloy IN738LC. They are: twointermetallic aluminides NiAl and Ni_3Al, y-solidsolution and a Cr-rich solid solution, twosulphides M_(23)C_6 and MC, and two sulphides(Al,Cr)_3S_4 and (Cr,Ti)_3S_4. ZnS and ZnSe areproposed to be vapor deposited onto the surfaceof the specimen to get good colour contrastand good light-dark contrast. The refractiveindex and absorption coefficient of all thesephases have been detemined.     

梁式引线肖特基混频管几何参数优化设计

利用CAD技术找出平面结构梁式引线混频管几何图形最佳尺寸,满足在特定条件下管子总电容和总电阴为最小,以提高截止频率改善器件性能.研制出的混频管在35GHz时双边带噪声系数为4.8dB,接近预期结果.     

用离子束混合及快速热处理方法形成钽的硅化物

本文描述用离子束透过钽金属膜进行混合和快速热处理方法来形成钽的硅化物.用溅射方法在P型硅衬底上淀积一层金属钽,然后用砷离子束透过钽金属模进行混合,采用快速热处理后形成了平整的硅化钽薄层.使用厚度为500埃的钽金属膜,得到钽的硅化物薄层电阻为5.5Ω/□.研究了砷离子能量、剂量及钽膜厚度对钽的硅化物薄层电阻的影响.用透射电镜和台阶仪对所形成的硅化钽进行了分析和厚度测量.     

辐照卷烟的生物毒性研究

本文阐述了~(60)Coγ射线对香烟的生物毒性的影响。用香烟烟气冷凝物做了Ames试验,人胚肺细胞遗传毒理实验,及吸烟对小白鼠生殖能力的影响实验。结果表明,吸收剂量低于10KGy~(60)Coγ辐照并不增加烟草的生物毒性。     

太空生长掺Te—GaAs单晶的结构缺陷观测

本文用X射线、电子显微镜和电子束阴极荧光方法,对在太空中生长的掺Te-GaAs单晶材料的结构完整性进行了实验研究.在地面生长的掺Te-GaAs有明显的杂质条纹,而在太空生长的晶体杂质条纹消失;在太空和地面生长的交界处于空间材料一侧的中心部位,存在一个大约5μm宽的高完整区.远离中心部位,空间材料的完整性降低,出现了大量位错并伴有微缺陷.实验结果表明:在微重力条件下生长化合物半导体GaAs对在其中的杂质均匀分布有利.在太生长时出现的大量位错和微缺陷,并不是在生长时由于失重所致,而是在太空生长时温度失控所引起的.     

用于半导体器件瞬态特性研究的大幅度矩形纳秒脉冲发生器

本文提出了一个用于半导体激光器和其他高速器件瞬态特性研究的大幅度矩形纳秒脉冲发生器的设计.为了产生一对极性相反的高速同步脉冲,在设计中采用了我国发明的新功能器件──双向负阻晶体管(BNRT).为了获得高速大电流主脉冲输出,采用了同时触发的双雪崩晶体管串联组合电路.所研制的发生器的主脉冲输出,其电压幅度高达200V(在50Ω负载)、峰值电流为4A、上升时间约2ns、宽度5-100ns、晃动小于50ps.而且输出脉冲波形呈良好的矩形,其过冲和顶部不平坦度均小于±3％.     

胸腺嘧啶二聚体的辐射解聚机理

本文研究了水溶液中胸腺嘧啶二聚体在γ射线辐照下解聚成胸腺嗜啶的机理。研究表明,胸腺嘧啶二聚体的解聚是由于OH自由基及水合电子与二聚体作用所致,一个OH自由基产生0.5个胸腺嘧啶分子,一个水合电子产生1.5个胸腺嘧啶分子,其反应速率常数分别为2.3×10~9dm~3mol~(-1)S~(-1)和1.0×10~(10)dm~3mol~(-1)S~(-1)     

芳纶纤维的表面改性

介绍了近年来国内外芳纶纤维(Aromatic Polyamides,Kevlar Fiber)三种主要的表面处理方法,评述了各种方法的优缺点以及有待解决的问题和未来发展方向。